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    與傳統的矽器件相比,碳化矽(SiC)器件由于擁有低導通電阻特性以及出色的高溫、高頻和高壓性能,已經成爲下一代低損耗半導體最爲可行的候選器件。此外,SiC讓設計人員能...
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